shallowtrenchisolation中文

淺槽隔離，即shallowtrenchisolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽，並 ...,,淺槽隔離，即shallowtrenchisolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...,...(TrenchOxideDishing)的製程瓶.頸。關鍵詞.淺溝渠隔離技術(ShallowTrenchIsolation;STI)；固定式砥粒研磨(FixedAbrasive.P...

參考資訊如下
淺槽隔離

淺槽隔離，即shallow trench isolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化矽掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕矽後形成槽，並 ...

CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究

淺槽隔離_百度百科

淺槽隔離，即shallow trench isolation，簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝，通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽，並在槽中填充澱積氧化物， ...

淺溝渠元件隔離技術現況與挑戰

... (Trench Oxide Dishing)的製程瓶. 頸。 關鍵詞. 淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation; STI)；固定式砥粒研磨(Fixed Abrasive. Polishing)；化學機械研磨(Direct CMP) ...

何謂STI? - WU MIN SHIN

2014年12月19日 — STI = Shallow Trench Isolation. 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion ...

浅槽隔离

浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物， ...